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IXTK 62N25
150
Fig. 7. Input Adm ittance
100
90
Fig. 8. Transconductance
120
90
60
T J = 125oC
80
70
60
50
40
30
T J = -40oC
25oC
125oC
30
25oC
20
0
-40oC
10
0
3.5
4.5
5.5
6.5
7.5
0
30
60
90
120
150
180
180
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-
Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
150
120
90
9
8
7
6
5
4
V DS = 125V
I D = 31A
I G = 10mA
60
30
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
0
50
100
150
200
250
10000
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
1000
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
1000
100
C iss
C oss
C rss
100
10
1
R DS(on) Limit
T J = 150 o C
T C = 25 o C
DC
25μs
100μs
1ms
10ms
0
5
10
15 20 25
V D S - Volts
30
35
40
1
10
V D S - Volts
100
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by
4,835,592
4,881,106
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5,049,961
5,187,117
5,381,025
6,162,665
6,306,728 B1 6,534,343
6,683,344
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,486,715
6,259,123 B1 6,404,065 B1
6,583,505
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